核心成就

山西烁科晶体成功研制全球首片12英寸第三代半导体碳化硅晶圆，打破国际技术壁垒，以自主创新彰显山西硬实力，为我国芯片产业高质量发展注入新动能。

洁净车间里，灯光柔和而肃穆，当一片直径300mm的碳化硅晶圆从单晶炉中缓缓取出，表面光洁如镜、晶体均匀致密，现场的工程师们松了口气——全球首片12英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底在山西烁科晶体成功研制。这一第三代半导体领域的里程碑式突破，凝结着山西科研团队日夜攻坚的汗水，更以硬核技术标注了中国半导体产业的新高度。

“别人做不出来的，我们必须做出来！”项目负责人盯着炉内数据，语气坚定却难掩压力。长期以来，12英寸碳化硅衬底被视作行业“天花板”，大尺寸扩径、低缺陷控制、高纯粉料制备三大技术壁垒横亘在前，国际上鲜有企业敢真正触碰。

作为山西转型综改示范区的领军企业，烁科晶体团队选择直面挑战。车间内，单晶炉24小时不停运转，技术人员三班倒值守，一双双眼睛紧盯温度曲线、压力参数、生长速率。失败接踵而至：晶体开裂、缺陷超标、尺寸不达标……一次次试验归零，一次次推倒重来。有人提出退守8英寸成熟路线，稳妥量产；但团队坚持向12英寸冲刺，“国家需要高端芯片，我们就必须啃下最硬的骨头。”

在数百个不眠之夜里，团队反复优化热场结构，独创大尺寸均匀生长工艺，攻克低缺陷N型衬底制备难题，从粉料提纯、晶体生长到晶片加工，全流程自主可控，终于在无数次试验后，迎来了第一片完美晶圆的诞生。

2025年7月30日，烁科晶体启动年产百万片级碳化硅单晶衬底项目。

轻轻托起这片12英寸碳化硅衬底，它比传统硅片更坚硬、更耐高温、更耐高压，是5G通信、新能源汽车、航天航空等高端领域的核心材料。此前，全球碳化硅产品以4—6英寸为主，8英寸已属高端，而烁科晶体一举突破至12英寸，实现全球首发，同时成功研制同尺寸N型衬底，创下行业奇迹。

大尺寸带来大价值。12英寸晶圆可大幅提升芯片有效面积，在同等生产条件下产量更高、成本更低，直接打破国际垄断，让我国在第三代半导体材料领域实现从跟跑到领跑的跨越。从关键装备自主制造，到核心工艺完全掌握，烁科晶体建起国内最完整的碳化硅生产线，每一个环节都刻着“自主创新”的印记。

这一突破，不仅是企业的胜利，更是山西培育新质生产力、布局未来产业的生动实践。作为内陆省份，山西跳出资源依赖，瞄准高端半导体赛道精准发力，让一颗小小的碳化硅“芯片”，成为转型发展的强劲引擎。

“成功只是起点，产业化才是目标。”车间里，团队来不及庆祝，便迅速投入量产优化工作。从实验室到生产线，从样品到商品，烁科晶体正加快技术转化，持续加大研发投入，以技术创新重构产业链、创新链、生态链。

在这支队伍里，有深耕材料领域数十年的行业领军者，有敢闯敢试的青年工程师，有精益求精的一线技工，不同身份、不同年龄，却怀着同一个目标：让中国碳化硅技术站在世界之巅。他们用坚守与专注，把技术难题逐一破解，把创新蓝图变为现实，诠释着新时代山西科技工作者的责任与担当。

全球首片12英寸碳化硅晶圆的问世，是山西科技创新的响亮名片，更是我国半导体产业自主可控的重要一步。它打破了高端材料的国际壁垒，提升了全产业链竞争力，为新能源、信息通信等国家战略领域提供坚实支撑。

从三晋大地到全球市场，从技术攻关到产业引领，烁科晶体以“人”为钥、以“创”为魂，在第三代半导体的赛道上勇毅前行。这片承载着山西智慧与中国力量的碳化硅晶圆，正划破技术边界，照亮我国高端芯片产业自主创新的广阔未来，为山西全方位转型注入源源不断的硬核动力。